全文获取类型
收费全文 | 21183篇 |
免费 | 2459篇 |
国内免费 | 1649篇 |
专业分类
电工技术 | 2024篇 |
综合类 | 2389篇 |
化学工业 | 2529篇 |
金属工艺 | 1249篇 |
机械仪表 | 1468篇 |
建筑科学 | 1615篇 |
矿业工程 | 1006篇 |
能源动力 | 607篇 |
轻工业 | 2370篇 |
水利工程 | 805篇 |
石油天然气 | 827篇 |
武器工业 | 355篇 |
无线电 | 1925篇 |
一般工业技术 | 1625篇 |
冶金工业 | 862篇 |
原子能技术 | 336篇 |
自动化技术 | 3299篇 |
出版年
2024年 | 81篇 |
2023年 | 341篇 |
2022年 | 789篇 |
2021年 | 1110篇 |
2020年 | 776篇 |
2019年 | 532篇 |
2018年 | 519篇 |
2017年 | 585篇 |
2016年 | 499篇 |
2015年 | 933篇 |
2014年 | 1186篇 |
2013年 | 1494篇 |
2012年 | 1827篇 |
2011年 | 1941篇 |
2010年 | 1734篇 |
2009年 | 1782篇 |
2008年 | 1780篇 |
2007年 | 1780篇 |
2006年 | 1483篇 |
2005年 | 1204篇 |
2004年 | 915篇 |
2003年 | 527篇 |
2002年 | 494篇 |
2001年 | 430篇 |
2000年 | 333篇 |
1999年 | 94篇 |
1998年 | 22篇 |
1997年 | 11篇 |
1996年 | 10篇 |
1995年 | 9篇 |
1994年 | 6篇 |
1993年 | 3篇 |
1992年 | 8篇 |
1991年 | 4篇 |
1990年 | 5篇 |
1989年 | 6篇 |
1988年 | 2篇 |
1987年 | 4篇 |
1986年 | 3篇 |
1985年 | 3篇 |
1984年 | 2篇 |
1983年 | 4篇 |
1982年 | 1篇 |
1981年 | 2篇 |
1980年 | 6篇 |
1979年 | 5篇 |
1959年 | 2篇 |
1958年 | 1篇 |
1951年 | 3篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
91.
92.
93.
特征选择是文本分类的关键步骤之一,所选特征子集的优劣直接影响文本分类的结果。论文首先定义了两种特征分类能力:一种是特征对类间文档的分散程度,该分散度越大越好;另一种是特征对类内文档的聚集程度,该集中度越大越好。然后把这两种特征影响度有机地结合起来设计了一个新的特征选择方法,该方法能够对所选特征进行综合考虑,从而使获得的特征集具有较好的代表性。仿真实验表明所提特征选择方法在一定程度上能够提高文本分类性能。 相似文献
94.
在无线传感器网络中,MAC协议决定着网络的信道分配,对网络的性能有很重要的影响。目前已研究出多种S-MAC协议,其中S-MAC协议是一种典型的无线传感器网络MAC协议,但此协议存在一定缺陷,无法更好地适应传感器网Jj络多变的特点。针对该问题,在S-MAC协议的基础上,结合了自适应退避窗口和根据节点队列长度预测流量的思想,提出了一种新的协议-Q-MAC协议,并达到了较为理想的预测效果。经NS2仿真验证,此协议在平均延迟、吞吐量、能量消耗方面较S-MAC协议有了显著提高。 相似文献
95.
在研究如何通过无线传感器网络WSN有效获取信息的同时,如何确保敏感地区的信息不被WSN窃取也成为研究者关注的热点问题。基于WSN已有的路由算法,利用其开放的特点在敏感地区设置WSN伪装节点,并使其加入WSN节点的路由构建过程,伪装节点采用路由算法自适应伪装,通过修改数据报中的控制信息进而实现阻止WSN节点构建有效路由,并在最大程度上消耗WSN节点能量的目的。从WSN节点能耗速度和网络生命周期两方面验证了基于路由算法的WSN伪装的有效性。 相似文献
96.
针对欠驱动船舶在稳定航速条件下轨迹跟踪问题,提出了一种基于自适应神经网络与反步法相结合的控制算法.该算法将实际的欠驱动船舶视为模型完全未知的非线性系统,利用神经网络的函数逼近特性实现控制器中非线性部分的在线估计,采用同时调整输入层-隐层、隐层-输出层间的权值阵的方法进行神经网络权值调整.通过选取积分型Lyapunov函数证明了闭环系统的稳定性.仿真实验表明该控制策略具有良好的跟踪特性,可以实现对期望航迹的精确跟踪. 相似文献
97.
99.
DUAN BaoXing & YANG YinTang 《中国科学:信息科学(英文版)》2012,(2):473-479
This paper demonstrates that the depletion process for AlGaN/GaN high electron mobility tran-sistors(HEMTs)is different than that for silicon power devices by analyzing active region depletion.Based on the special breakdown principle that occurs in AlGaN/GaN HEMTs,we propose a new reduced surface field AlGaN/GaN HEMT with a double low-density drain(LDD)and a positively charged region near the drain to optimize the surface electric field and increase the breakdown voltage.In this structure,two negative charge regions with different doses are introduced into the polarization AlGaN layer to form a double LDD and decrease the high electric field near the gate by depleting two-dimensional electron gas.A positively charged region is added to the electrode near the drain to decrease the high electric field peak at the drain edge.By applying ISE(integrated systems engineering)simulation software,we verify that the virtual gate effect occurs in the AlGaN/GaN HEMTs.The breakdown voltage is improved from 257 V in the conventional structure to 550 V in the proposed structure. 相似文献
100.